平面 NAND 闪存时代落幕:铠侠宣布将停产 2D NAND 产品

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4 月 1 日消息,据 TechNews.tw 报道,铠侠已通知客户,计划停产旗下 2D NAND 闪存与第三代 BiCS 3D NAND 闪存产品。

停产老旧闪存品类并非新鲜事,但此次值得关注的是:铠侠将彻底终结平面 NAND 闪存的生命周期。该架构是 3D NAND 闪存的前代产品,自 20 世纪 80 年代起便已投入量产。

注意到,铠侠此次停产的老旧 NAND 产品覆盖面广泛:包含 32 纳米平面浮栅型 SLC NAND(2009 年量产)、24 纳米 MLC NAND(2010 年量产)、15 纳米 MLC 与 TLC NAND(2014 年量产);同时还有 2017 年前后推出的初代 64 层堆叠 BiCS3 架构 3D NAND 闪存。

本次淘汰范围涵盖 SLC、MLC、TLC 全主流存储单元类型,也囊括裸晶圆、BGA、TSOP、eMMC、UFS、SD 卡等几乎全部封装供货形态。这意味着铠侠并非仅停产个别型号,而是全面退役整套老旧技术平台。

本次停产遵循行业标准的多年生命周期终止流程:客户最后下单截止日期为 2026 年 9 月 30 日,最终出货将持续至 2028 年 12 月 31 日。此后相关产品将全面停产下架,标志铠侠正式退出传统平面 NAND 与早期 BiCS 架构产品线,全面转向更先进的新一代 3D NAND 制程。

与此同时,铠侠关停 2D NAND 产能,也将宣告行业平面 NAND 闪存时代彻底落幕,这是存储行业的标志性事件:该闪存架构约 1987 年由东芝首次量产,时隔 41 年后,将由其继任企业铠侠在 2028 年正式停产退市。

目前,2D NAND 闪存主要应用于车载设备、消费电子、嵌入式设备、工业工控等老旧终端,以及部分长生命周期的特种存储设备。

传统老旧闪存通常会锁定定价,维持厂商与采购方的生产经济性;但当下 AI 行业需求暴涨,铠侠继续保留 2D NAND 产线已无实际意义。因此,随着与客户的长期供货合约陆续到期,铠侠正式宣布计划停止 2D NAND 闪存的生产与出货。